Gate Drivers 1.5A Dual High Speed MOSFET Driver
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | TSSOP, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks |
高边驱动器 | NO |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 3 mm |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
标称输出峰值电流 | 1.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.09 mm |
最大供电电压 | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BICMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
断开时间 | 0.06 µs |
接通时间 | 0.04 µs |
宽度 | 2.97 mm |
Base Number Matches | 1 |
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