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FDB28N30TM

产品描述MOSFET 300V N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDB28N30TM概述

MOSFET 300V N-Channel

FDB28N30TM规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
Samacsys DescriptionFDB28N30TM, N-channel MOSFET Transistor, 28 A 300 V, 3-Pin D2PAK
雪崩能效等级(Eas)588 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)28 A
最大漏极电流 (ID)28 A
最大漏源导通电阻0.129 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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