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CMNDM8001 TR

产品描述MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小492KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMNDM8001 TR概述

MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet

CMNDM8001 TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-953
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Id - Continuous Drain Current- 200 mA
Rds On - Drain-Source Resistance2.4 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.1 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge658 pC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle Triple Drain
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
250 mW
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
Transistor Type1 P-Channel
Forward Transconductance - Min100 mS
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
8000
Typical Turn-Off Delay Time80 ns
Typical Turn-On Delay Time35 ns

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CMNDM8001
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNDM8001 is
a P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET,
manufactured by the P-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and
Low Threshold Voltage.
MARKING CODE: BC
SOT-953 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
FEATURES:
• Low 0.5mm Package Profile
• Low rDS(ON)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatible
• Small, FEMTOmini™ 1.0 x 0.8mm, SOT-953
Surface Mount Package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ, Tstg
20
10
100
200
250
-65 to +150
MAX
1.0
1.0
1.1
8.0
12
45
ID=100mA
ID=100mA
100
15
45
15
35
80
0.658
0.158
0.181
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
UNITS
μA
μA
V
V
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
mS
pF
pF
pF
ns
ns
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=10V, VDS=0
IDSS
VDS=20V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=100μA
20
VGS(th)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VDS=VGS,
VGS=4.0V,
VGS=2.5V,
ID=250μA
ID=10mA
ID=10mA
0.6
1.9
2.4
VGS=1.5V, ID=1.0mA
VDS=10V, VGS=4.5V,
VDS=10V, VGS=4.5V,
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA
VDS =10V, ID=100mA
VDS=3.0V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=3.0V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=3.0V, VGS=0, f=1.0MHz
VDD=3.0V, VGS=2.5V, ID=10mA
VDD=3.0V, VGS=2.5V, ID=10mA
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