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IXGH15N120B2D1

产品描述IGBT Transistors 30 Amps 1200V 2.7 V Rds
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小66KB,共3页
制造商IXYS
标准
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IXGH15N120B2D1在线购买

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IXGH15N120B2D1概述

IGBT Transistors 30 Amps 1200V 2.7 V Rds

IXGH15N120B2D1规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247AD-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max1200 V
Continuous Collector Current at 25 C30 A
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max30 A
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.229281 oz

 
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