SRAM 4M x 18 1.8V QDR II SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 针数 | 165 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 17 mm |
| 内存密度 | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型 | QDR SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.715 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 15 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CY7C1513AV18-200BZC | CY7C1514V18-200BZXI | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM 4M x 18 1.8V QDR II SRAM | SRAM 2M x 36 1.8V QDR II SRAM | |||||
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | |||||
| 零件包装代码 | BGA | BGA | |||||
| 包装说明 | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 | |||||
| 针数 | 165 | 165 | |||||
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown | |||||
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | |||||
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | |||||
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns | |||||
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | |||||
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 200 MHz | |||||
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | |||||
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | |||||
| 长度 | 17 mm | 17 mm | |||||
| 内存密度 | 75497472 bit | 75497472 bit | |||||
| 内存集成电路类型 | QDR SRAM | QDR SRAM | |||||
| 内存宽度 | 18 | 36 | |||||
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | |||||
| 功能数量 | 1 | 1 | |||||
| 端子数量 | 165 | 165 | |||||
| 字数 | 4194304 words | 2097152 words | |||||
| 字数代码 | 4000000 | 2000000 | |||||
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | |||||
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | |||||
| 组织 | 4MX18 | 2MX36 | |||||
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | |||||
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | |||||
| 封装代码 | LBGA | LBGA | |||||
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 | |||||
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | |||||
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | |||||
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | |||||
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.8 V | |||||
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | |||||
| 座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm | |||||
| 最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V | |||||
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | |||||
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | |||||
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | |||||
| 表面贴装 | YES | YES | |||||
| 技术 | CMOS | CMOS | |||||
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | |||||
| 端子形式 | BALL | BALL | |||||
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | |||||
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | |||||
| 宽度 | 15 mm | 15 mm | |||||
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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