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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FMMD914TA
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FMMD914TA

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB，共1页
制造商Diodes Incorporated
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FMMD914TA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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FMMD914TA概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching

FMMD914TA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.075 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.008 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED
SWITCHING DIODE
ISSUE 2 - OCTOBER 1995
FMMD914
2
DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL – 5D
1
3
!
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Working Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current at
T
amb
=25°C
Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RWM
I
F(AV)
I
FRM
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
75
75
225
330
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
75
1
25
50
8
4
Total Capacitance
Forward Recovery Voltage
Rectification Efficiency
C
T
V
FM(REC)
η
r
MAX.
UNIT CONDITIONS.
V
V
µ
A
Reverse Breakdown Voltage V
BR
Forward Voltage
Static Reverse Current
Reverse Recovery Time
V
F
I
R
t
rr
I
R
=100
µ
A
I
F
=10mA
V
R
=20V
V
R
=20V, T
amb
=150 °C
I
F
= I
RM
=10mA,I
RR
=1mA
R
L
=100
Ω
I
F
=10mA,I
RR
=1mA, V
R
=6V
R
L
=100
Ω
V
R
=0, f=1MHz
I
F
=50mA, R
L
=50
Ω
V
R
=2V,R
L
=5k
Ω
, C
L
=20pF
Z
source
=50
Ω
, f=100MHz
nA
ns
ns
pF
V
%
4
2.5
45
Spice parameter data is available upon request for this device
PAGE NUMBER

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