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BCR198SH6327XTSA1

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小876KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BCR198SH6327XTSA1在线购买

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BCR198SH6327XTSA1概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR

BCR198SH6327XTSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)190 MHz
Base Number Matches1

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