Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
Is Samacsys | N |
其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 70 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 190 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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