NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | POWERCAP MODULE-34 |
| 针数 | 34 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 34 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J INVERTED |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| DS1350WP-100IND | DS1350WP-100 | DS1350WP-150 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor | NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) |
| 包装说明 | POWERCAP MODULE-34 | - | POWERCAP MODULE-34 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | - | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 100 ns | - | 150 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-U34 | - | R-XDMA-U34 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit | - | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | - | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 34 | - | 34 |
| 字数 | 524288 words | - | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | - | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 512KX8 | - | 512KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | MODULE,34LEAD,1.0 | - | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | 240 |
| 电源 | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00015 A | - | 0.00015 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | - | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
| 端子形式 | J INVERTED | - | J INVERTED |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
