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70T3399S133BFI8

产品描述SRAM 128K X 18 DP
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文件大小329KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70T3399S133BFI8概述

SRAM 128K X 18 DP

70T3399S133BFI8规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明TFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
制造商包装代码BF208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 15.0 X 15.0 MM X 0.8 MM P
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15 mm

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