Synchronous DRAM,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Objectid | 8367295425 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 20 weeks |
| Samacsys Manufacturer | Alliance Memory |
| Samacsys Modified On | 2020-12-09 06:55:45 |
| YTEOL | 4 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G86 |
| 长度 | 22.22 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 86 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSSOP86,.46,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.07 A |
| 最小待机电流 | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| AS4C8M32S-6TINTR | AS4C8M32S-7TCNTR | |
|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, | Synchronous DRAM, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| Objectid | 8367295425 | 8367295426 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Country Of Origin | Taiwan | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 20 weeks | 20 weeks |
| Samacsys Manufacturer | Alliance Memory | Alliance Memory |
| Samacsys Modified On | 2020-12-09 06:55:45 | 2020-12-09 06:55:45 |
| YTEOL | 4 | 4 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5 ns | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz | 143 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G86 | R-PDSO-G86 |
| 长度 | 22.22 mm | 22.22 mm |
| 内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 86 | 86 |
| 字数 | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 8MX32 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSSOP86,.46,20 | TSSOP86,.46,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.07 A | 0.07 A |
| 最小待机电流 | 3 V | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.1 mA | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm |
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