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SUD50N03-06P-E3

产品描述MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SUD50N03-06P-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SUD50N03-06P-E3概述

MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V

SUD50N03-06P-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)101.25 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)84 A
最大漏源导通电阻0.0095 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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