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IR2301PBF

产品描述Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On NonInvrt Inpt
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小187KB,共18页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
相似器件已查找到1个与IR2301PBF功能相似器件
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IR2301PBF概述

Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On NonInvrt Inpt

IR2301PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明MS-001AB, DIP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionHigh&Low Side MOSFET Driver 350mA PDIP8 Infineon IR2301PBF, Dual MOSFET Power Driver 350mA, 5 → 20 V, Non-Inverting, 8-Pin PDIP
其他特性FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDIP-T8
长度9.88 mm
功能数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流0.35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压5 V
标称供电电压15 V
电源电压1-最大620 V
电源电压1-分钟
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.28 µs
接通时间0.3 µs
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet No. PD60201 Rev.D
IR2301(S) & (PbF)
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Features
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Gate drive supply range from 5 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
3.3V, 5V and 15V input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground +/- 5V offset.
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Outputs in phase with inputs
Also available LEAD-FREE (PbF)
Packages
8 Lead PDIP
IR2301
8 Lead SOIC
IR2301S
Description
2106/2301//2108//2109/2302/2304 Feature Comparison
The IR2301(S) are high voltage, high speed
Cross-
Input
conduction
power MOSFET and IGBT drivers with indepen-
Dead-Time
Ground Pins
Part
prevention
logic
dent high and low side referenced output
logic
2106/2301
channels. Proprietary HVIC and latch immune
COM
HIN/LIN
no
none
21064
VSS/COM
CMOS technologies enable ruggedized mono-
2108
Internal 540ns
COM
HIN/LIN
yes
lithic construction. The logic input is compatible
Programmable 0.54~5
µs
21084
VSS/COM
with standard CMOS or LSTTL output, down to
2109/2302
Internal 540ns
COM
IN/SD
yes
3.3V logic. The output drivers feature a high
Programmable 0.54~5
µs
21094
VSS/COM
pulse current buffer stage designed for minimum
yes
Internal 100ns
HIN/LIN
COM
2304
driver cross-conduction. The floating channel
can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to
600 volts.
Typical Connection
up to 600V
(Refer to Lead
Assignments for
correct pin con-
figuration). This/
T h e s e
diagram(s)
show electrical
connections
only. Please re-
fer to our Appli-
cation Notes
and DesignTips
for proper circuit
board layout.
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
LOAD
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
1

IR2301PBF相似产品对比

IR2301PBF IR2301SPBF
描述 Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On NonInvrt Inpt Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 5V to 20V
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 MS-001AB, DIP-8 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
高边驱动器 YES YES
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
长度 9.88 mm 4.9 mm
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
标称输出峰值电流 0.35 A 0.35 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
电源 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 1.75 mm
最大供电电压 20 V 20 V
最小供电电压 5 V 5 V
标称供电电压 15 V 15 V
电源电压1-最大 620 V 620 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
断开时间 0.28 µs 0.28 µs
接通时间 0.3 µs 0.3 µs
宽度 7.62 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 1

与IR2301PBF功能相似器件

器件名 厂商 描述
IR2301 Infineon(英飞凌) IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP

 
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