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IRF7309IPBF

产品描述MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF7309IPBF概述

MOSFET

IRF7309IPBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel, P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current4 A
Rds On - Drain-Source Resistance80 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge16.7 nC
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.4 W
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
Transistor Type1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
Width
3.9 mm
单位重量
Unit Weight
0.019048 oz

IRF7309IPBF相似产品对比

IRF7309IPBF
描述 MOSFET
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
Number of Channels 2 Channel
Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 80 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Qg - Gate Charge 16.7 nC
Configuration Dual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.4 W
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
Width
3.9 mm
单位重量
Unit Weight
0.019048 oz

 
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