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74LVC1G00GW-R

产品描述Logic Gates SINGLE 2-INPUT NAND GATE
产品类别半导体    逻辑   
文件大小787KB,共19页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74LVC1G00GW-R在线购买

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74LVC1G00GW-R概述

Logic Gates SINGLE 2-INPUT NAND GATE

74LVC1G00GW-R规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
Logic Gates
RoHSDetails
产品
Product
Single-Function Gate
Logic FunctionNAND
Logic FamilyLVC
Number of Gates1 Gate
Number of Input Lines2 Input
Number of Output Lines1 Output
High Level Output Current- 32 mA
Low Level Output Current32 mA
传播延迟时间
Propagation Delay Time
2.2 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
5.5 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.65 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TSSOP-5
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
FunctionNAND
高度
Height
1 mm
长度
Length
2.25 mm
宽度
Width
1.35 mm
Logic Type2-Input NAND
工作电源电压
Operating Supply Voltage
1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
单位重量
Unit Weight
0.000212 oz

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74LVC1G00
Single 2-input NAND gate
Rev. 11 — 29 November 2016
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G00 provides the single 2-input NAND function.
Input can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. These features allow the use of
these devices in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant for slower input rise and fall
time.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)
24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
Multiple package options
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74LVC1G00GW-R相似产品对比

74LVC1G00GW-R 74LVC1G00GW 74LVC1G00GM
描述 Logic Gates SINGLE 2-INPUT NAND GATE Logic Gates Logic Gates
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 - TSSOT SON
包装说明 - TSSOP, TSSOP5/6,.08 VSON, SOLCC6,.04,20
针数 - 5 6
Reach Compliance Code - compliant compliant
系列 - LVC/LCX/Z LVC/LCX/Z
JESD-30 代码 - R-PDSO-G5 R-PDSO-N6
JESD-609代码 - e3 e3
长度 - 2.05 mm 1.45 mm
负载电容(CL) - 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 - NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) - 0.024 A 0.024 A
湿度敏感等级 - 1 1
功能数量 - 1 1
输入次数 - 2 2
端子数量 - 5 6
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - TSSOP VSON
封装等效代码 - TSSOP5/6,.08 SOLCC6,.04,20
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
电源 - 3.3 V 3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup - 6 ns 6 ns
传播延迟(tpd) - 10.5 ns 10.5 ns
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 - NO NO
座面最大高度 - 1.1 mm 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 - GULL WING NO LEAD
端子节距 - 0.65 mm 0.5 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30
宽度 - 1.25 mm 1 mm
Base Number Matches - 1 1
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