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2DB1714-13

产品描述Bipolar Transistors - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共4页
制造商Diodes Incorporated
标准
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2DB1714-13概述

Bipolar Transistors - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K

2DB1714-13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1
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