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IRG4PH40KDPBF

产品描述IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小747KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRG4PH40KDPBF概述

IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT

IRG4PH40KDPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值3 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)160 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)730 ns
标称接通时间 (ton)82 ns

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PD - 95402
IRG4PH40KDPbF
• Lead-Free
www.irf.com
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