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NSS40301MDR2G

产品描述Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSS40301MDR2G概述

Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

NSS40301MDR2G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
制造商包装代码751-07
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionDual Matched 40 V 6.0 A Low VCE(sat) NPN Transistor
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.783 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)890 ns
最大开启时间(吨)200 ns
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