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DMTH4004SPSQ-13

产品描述MOSFET 40V N-Ch Enh FET Low Rdson
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小494KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准
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DMTH4004SPSQ-13在线购买

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DMTH4004SPSQ-13概述

MOSFET 40V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMTH4004SPSQ-13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time22 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.0027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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