Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1344600019 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, |
针数 | 90 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Taiwan |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 20 weeks |
YTEOL | 4 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 32 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 90 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |
AS4C4M32S-7BCNTR | AS4C4M32S-7BCN | |
---|---|---|
描述 | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90 | DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | TFBGA, | TFBGA, |
针数 | 90 | 90 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 20 weeks | 8 weeks |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B90 |
长度 | 13 mm | 13 mm |
内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 32 | 32 |
湿度敏感等级 | 3 | 3 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 90 | 90 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 4MX32 | 4MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 8 mm | 8 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved