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SI2309DS-T1-GE3

产品描述MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI2309DS-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI2309DS-T1-GE3概述

MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V

SI2309DS-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.25 A
最大漏极电流 (ID)0.00125 A
最大漏源导通电阻0.34 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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