Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS6C62256A-70PCN

AS6C62256A-70PCN: 产品描述SRAM 256K, 2.7-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小594KB，共10页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS6C62256A-70PCN概述

SRAM 256K, 2.7-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

AS6C62256A-70PCN规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Alliance Memory
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.937 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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APRIL 2009

AS6C62256A

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

EATURES



32768x8 bit static CMOS RAM

Access times 70 ns

Common data inputs and data

outputs

Three-state outputs

Typ. operating supply current

70 ns: 50 mA

TTL/CMOS-compatible

Automatical reduction of power

dissipation in long Read Cycles

Power supply voltage 5V + 10%

Operating temperature ranges

0 to 70 °C

-40 to 85 °C

QS 9000 Quality Standard

ESD protection > 2000 V

(MIL STD 883C M3015.7)

Latch-up immunity >100 mA

Packages: PDIP28 (600 mil)

SOP28 (330 mil)

ESCRIPTION

The AS6C62256A is a static RAM

manufactured using a CMOS

process technology with the

following operating modes:

- Read

- Standby

- Write

- Data Retention

The memory array is based on a 6-

transistor cell.

The circuit is activated by the falling

edge of E. The address and control

inputs open simultaneously.

According to the information of W

and G, the data inputs, or outputs,

are active. In a Read cycle, the data

outputs are activated by the falling

edge of G, afterwards the data word

read will be available at the outputs

DQ0-DQ7. After the address

change, the data outputs go High-Z

until the new information read is

available. The data outputs have not

preferred state.

The Read cycle is finished by the

falling edge of W, or by the rising

edge of E, respectively.

Data retention is guaranteed down

to 2 V. With the exception of E, all

inputs consist of NOR gates, so that

no pull-up/pull-down resistors are

required.

ONFIGURATION

ESCRIPTION

APRIL/2009

ALLIANCE MEMORY

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AS6C62256A-70PCN相似产品对比

	AS6C62256A-70PCN	AS6C62256A-70PIN	AS6C62256A-70SINTR
描述	SRAM 256K, 2.7-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM	SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM	SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Alliance Memory	Alliance Memory	-
零件包装代码	DIP	DIP	-
包装说明	DIP,	DIP,	-
针数	28	28	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
Factory Lead Time	6 weeks	6 weeks	-
最长访问时间	70 ns	70 ns	-
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	-
内存密度	262144 bit	262144 bit	-
内存宽度	8	8	-
功能数量	1	1	-
端子数量	28	28	-
字数	32768 words	32768 words	-
字数代码	32000	32000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	70 °C	85 °C	-
组织	32KX8	32KX8	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	DIP	DIP	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	3.937 mm	3.937 mm	-
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	-
表面贴装	NO	NO	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
宽度	15.24 mm	15.24 mm	-
Base Number Matches	-	1	1

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