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BCR 148S E6327: 产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小864KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BCR 148S E6327概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS	Details
Configuration	Dual
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	47 kOhms
Typical Resistor Ratio	1
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-363-6
DC Collector/Base Gain hfe Min	70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
高度 Height	0.9 mm
长度 Length	2 mm
宽度 Width	1.25 mm
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
单位重量 Unit Weight	0.000265 oz

	BCR 148S E6327	BCR 148W H6433
描述	Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR	双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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