Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
包装说明 | SOP, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 18 weeks |
Is Samacsys | N |
内置保护 | TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G12 |
长度 | 4.9 mm |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 12 |
输出电流流向 | SINK |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 3.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 18.8 µs |
接通时间 | 7.6 µs |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
VNL5030S5TR-E | VNL5030JTR-E | |
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描述 | Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower | Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower |
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