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VNL5030S5TR-E

产品描述Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小778KB,共28页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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VNL5030S5TR-E概述

Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower

VNL5030S5TR-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明SOP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
Is SamacsysN
内置保护TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G12
长度4.9 mm
功能数量1
端子数量12
输出电流流向SINK
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压3.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间18.8 µs
接通时间7.6 µs
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

VNL5030S5TR-E相似产品对比

VNL5030S5TR-E VNL5030JTR-E
描述 Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower

 
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