RF Bipolar Transistors
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS |
外壳连接 | BASE |
最大集电极电流 (IC) | 1.1 A |
配置 | SINGLE |
最高频带 | S BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 65 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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