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72V2103L6PFG8

产品描述FIFO 3.3V 4M SUPER SYNC II
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文件大小303KB,共46页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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72V2103L6PFG8在线购买

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72V2103L6PFG8概述

FIFO 3.3V 4M SUPER SYNC II

72V2103L6PFG8规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TQFP
包装说明LQFP, QFP80,.64SQ
针数80
制造商包装代码PNG80
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionTQFP 14.0 X 14.0 X 1.4 MM
最长访问时间4 ns
其他特性ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
周期时间6 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量80
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP80,.64SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm

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