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FMMTL718TC

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共5页
制造商Diodes Incorporated
标准
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FMMTL718TC在线购买

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FMMTL718TC概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation

FMMTL718TC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)265 MHz
Base Number Matches1

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A Product Line of
Diodes Incorporated
FMMTL718
20V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
Features and Benefits
BV
CEO
> -20V
I
C
= -1A Continuous Collector Current
I
CM
= -2A Peak Pulse Current
Low Saturation Voltage V
CE(sat)
< -320mV @ -1A
h
FE
characterised up to -1.5A for high current gain hold-up
500mW power dissipation
Complementary part number FMMTL618
Lead Free, RoHS Compliant (Note 1)
Halogen and Antimony Free "Green" Device (Note 2)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Case: SOT-23
UL Flammability Rating 94V-0
Case material: molded Plastic.
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Copper plated Alloy
42 leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Weight: 0.008 grams (Approximate)
Applications
MOSFET Gate Driving
DC-DC Converters
Charging circuit
Power switches
SOT23
C
B
E
Top View
Device Symbol
Top View
Pin-Out
Ordering Information
(Note 3)
Product
FMMTL718TA
Notes:
Marking
L78
Reel size (inches)
7
Tape width (mm)
8
Quantity per reel
3,000
1. No purposefully added lead.
2. Diodes Inc.`s “Green” Policy can be found on our website at http://www.diodes.com
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com.
Marking Information
L78 = Product Type Marking Code
FMMTL718
Document Number: DS33132 Rev. 2 - 2
1 of 5
www.diodes.com
June 2011
© Diodes Incorporated
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