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GB10NC60KD

产品描述20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小499KB,共17页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GB10NC60KD概述

20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB

20 A, 600 V, N沟道 IGBT, TO-220AB

GB10NC60KD规格参数

参数名称属性值
端子数量3
额定关断时间242 ns
最大集电极电流20 A
最大集电极发射极电压600 V
加工封装描述TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接ISOLATED
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间23 ns

GB10NC60KD相似产品对比

GB10NC60KD GP10NC60KD GF10NC60KD STGF10NC60KD_07
描述 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
端子数量 3 3 3 3
额定关断时间 242 ns 242 ns 242 ns 242 ns
最大集电极电流 20 A 20 A 20 A 20 A
最大集电极发射极电压 600 V 600 V 600 V 600 V
加工封装描述 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN
无铅 Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子涂层 TIN TIN TIN TIN
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 23 ns 23 ns 23 ns 23 ns

 
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