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SEMIX402GAL066HD

产品描述Trench IGBT Modules
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SEMIX402GAL066HD概述

Trench IGBT Modules

SEMIX402GAL066HD规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数11
制造商包装代码CASE SEMIX 2
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)490 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X9
JESD-609代码e3/e4
元件数量1
端子数量9
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN/SILVER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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SEMiX 402GB066HD ...
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMiX
®
2
Trench IGBT Modules
SEMiX 402GB066HD
SEMiX 402GAL066HD
SEMiX 402GAR066HD
Target Data
Inverse diode
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Features
Typical Applications
Remarks
Inverse Diode
Thermal characteristics
Temperature sensor
Mechanical data
GB
GAL
GAR
1
27-06-2005 GES
© by SEMIKRON

SEMIX402GAL066HD相似产品对比

SEMIX402GAL066HD SEMIX402GAR066HD
描述 Trench IGBT Modules Trench IGBT Modules
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数 11 11
制造商包装代码 CASE SEMIX 2 CASE SEMIX 2
Reach Compliance Code compli compli
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 490 A 490 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X9 R-XUFM-X9
JESD-609代码 e3/e4 e3/e4
元件数量 1 1
端子数量 9 9
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN/SILVER TIN/SILVER
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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