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IRF034

产品描述REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF034概述

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

IRF034规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码BFM
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)19 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.058 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)133 ns
最大开启时间(吨)131 ns
Base Number Matches1

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PD - 90585
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED
V
HEXFET TRANSISTORS
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number
IRF034
IRF034
60V, N-CHANNEL
BVDSS R
DS(on)
60V
0.050Ω
I
D
25Α
The HEXFET technology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-
tance combined with high transconductance; superior re-
verse energy and diode recovery dv/dt capability.
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,
very fast switching, ease of paralleling and temperature
stability of the electrical parameters.
They are well suited for applications such as switching
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio
amplifiers and high energy pulse circuits.
TO-3
Features:
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Hermetically Sealed
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 0V, TC = 25°C
ID @ VGS = 0V, TC = 100°C
I DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
25
16
100
75
0.60
±20
19
-
-
4.5
-55 to 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)
11.5(typical)
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
g
www.irf.com
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