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INA331IDGKT: 产品描述Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小986KB，共22页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到3个与INA331IDGKT功能相似器件

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INA331IDGKT概述

Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125

INA331IDGKT规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	MSOP
包装说明	VSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
Samacsys Description	Texas Instruments INA331IDGKT Instrumentation Amplifier, 0.5mV Offset, CMMR 90dB, 3 V, 5 V, 8-Pin MSOP, R-RO
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00001 µA
标称带宽 (3dB)	2 MHz
最小共模抑制比	90 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.00001 µA
最大输入失调电压	500 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
湿度敏感等级	2
最大非线性	0.1%
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.19
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.07 mm
标称压摆率	5 V/us
最大压摆率	0.6 mA
供电电压上限	7.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	1000
最小电压增益	5
标称电压增益	25
宽度	3 mm
Base Number Matches	1

INA331IDGKT相似产品对比

	INA331IDGKT	INA2331AIPWT	INA331AIDGKR	INA331AIDGKT	INA331IDGKR	INA331AIDGKRG4	INA331IDGKRG4	INA331IDGKTG4	INA331AIDGKTG4
描述	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instumentation Amplifier 14-TSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	MSOP	TSSOP	MSOP	MSOP	MSOP	MSOP	MSOP	MSOP	MSOP
包装说明	VSSOP-8	TSSOP-14	VSSOP-8	VSSOP-8	VSSOP-8	VSSOP-8	GREEN, PLASTIC, VSSOP-8	VSSOP-8	VSSOP-8
针数	8	14	8	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA
标称带宽 (3dB)	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz
最小共模抑制比	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB	90 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA	0.00001 µA
最大输入失调电压	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV	500 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G14	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	S-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	3 mm	5 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
湿度敏感等级	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最大非线性	0.1%	0.1%	0.1%	0.1%	0.1%	0.1%	0.01%	0.1%	0.1%
功能数量	1	2	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	14	8	8	8	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.19	TSSOP14,.25	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.07 mm	1.2 mm	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm	1.1 mm	1.07 mm	1.07 mm
标称压摆率	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us
最大压摆率	0.6 mA	1.2 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA
供电电压上限	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V	7.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	NICKEL PALLADIUM GOLD	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大电压增益	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
最小电压增益	5	5	5	5	5	5	5	5	5
标称电压增益	25	25	25	25	25	25	25	25	25
宽度	3 mm	4.4 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅
Factory Lead Time	6 weeks	1 week	1 week	1 week	12 weeks	12 weeks	-	6 weeks	6 weeks
包装方法	TR	TR	TR	TR	TR	TR	-	TR	TR

与INA331IDGKT功能相似器件

器件名	厂商	描述
INA331IDGKR	Texas Instruments(德州仪器)	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125
INA331IDGKTG4	Texas Instruments(德州仪器)	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125
INA331IDGKRG4	Texas Instruments(德州仪器)	Low-Power, Single Supply, CMOS, Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -55 to 125

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