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GBU8J

产品描述6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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GBU8J概述

6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

6 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU8J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明R-PSFM-T4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e2
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流3.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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