EEPROM SERIAL EEPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ABLIC |
| 包装说明 | DFN-8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 0.4 MHZ AT 1.7 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 3 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.5 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |

| S-24C16DI-A8T1U5 | S-24C16DI-T8T1U5 | S-24C02DI-I8T1U5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM SERIAL EEPROM | EEPROM SERIAL EEPROM | EEPROM 2Kb, I2C 2 wire |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ABLIC | ABLIC | ABLIC |
| 包装说明 | DFN-8 | TSSOP-8 | SNT-8A |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | compliant |
| 其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 0.4 MHZ AT 1.7 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE | IT ALSO OPERATES AT 0.4 MHZ AT 1.7 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE | IT ALSO OPERATES AT 0.4 MHZ AT 1.7 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-F8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 3 mm | 4.4 mm | 2.23 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 256 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 256 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 256X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON | TSSOP | VSOF |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.5 mm | 1.1 mm | 0.5 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN | TIN | Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD | GULL WING | FLAT |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.65 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm | 3 mm | 1.97 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
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