HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 3-BIT UP BINARY COUNTER, CDFP14
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | CERAMIC, DFP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | DIVIDE BY 2 AND DIVIDE BY 8 FUNCTIONS |
| 计数方向 | UP |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 9.525 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 负载/预设输入 | YES |
| 逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER |
| 最大频率@ Nom-Sup | 20000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 51 ns |
| 传播延迟（tpd） | 51 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.92 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 触发器类型 | NEGATIVE EDGE |
| 宽度 | 6.285 mm |
| 最小 fmax | 30 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9573701VXC | 5962R9573701VCC | |
|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 3-BIT UP BINARY COUNTER, CDFP14 | HCT SERIES, ASYN NEGATIVE EDGE TRIGGERED 3-BIT UP BINARY COUNTER, CDIP14 |
| 零件包装代码 | DFP | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DFP-16 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | DIVIDE BY 2 AND DIVIDE BY 8 FUNCTIONS | DIVIDE BY 2 AND DIVIDE BY 8 FUNCTIONS |
| 计数方向 | UP | UP |
| 系列 | HCT | HCT |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 9.525 mm | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 负载/预设输入 | YES | YES |
| 逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER | BINARY COUNTER |
| 最大频率@ Nom-Sup | 20000000 Hz | 20000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP | DIP |
| 封装等效代码 | FL14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 51 ns | 51 ns |
| 传播延迟（tpd） | 51 ns | 51 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| 触发器类型 | NEGATIVE EDGE | NEGATIVE EDGE |
| 宽度 | 6.285 mm | 7.62 mm |
| 最小 fmax | 30 MHz | 30 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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