512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48
512K × 8 标准存储器, 10 ns, PBGA48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | GSI Technology |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, |
| 针数 | 36 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 23.47 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| GS74108AJ-12 | GS74108ATP | GS74108AJ-12I | GS74108AGJ-12I | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 | 512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA48 |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 36 | 48 | 36 | 36 |
| 组织 | 512KX8 | 512K X 8 | 512KX8 | 512KX8 |
| 表面贴装 | YES | Yes | YES | YES |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | J BEND | BALL | J BEND | J BEND |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | DUAL |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | GSI Technology | - | GSI Technology | GSI Technology |
| 零件包装代码 | SOJ | - | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, | - | SOJ, | SOJ, |
| 针数 | 36 | - | 36 | 36 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | - | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 12 ns | - | 12 ns | 12 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 | - | R-PDSO-J36 | R-PDSO-J36 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e3 |
| 长度 | 23.47 mm | - | 23.47 mm | 23.47 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 湿度敏感等级 | 3 | - | 3 | 3 |
| 字数 | 524288 words | - | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | - | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | - | SOJ | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.7 mm | - | 3.7 mm | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD | PURE MATTE TIN |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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RF/无线
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