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GS78116B-12I: 产品描述512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小276KB，共11页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS78116B-12I概述

512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM

GS78116B-12I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.08 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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GS78116B

BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• Fast access time: 10, 12, 15 ns

• CMOS low power operation: 300/250/220/180 mA at

minimum cycle time

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C

• 14 mm x 22 mm, 119-Bump, 1.27 mm Pitch Ball Grid Array

package

512K x 16

8Mb Asynchronous SRAM

Pin Descriptions

Symbol

to A

to DQ

10, 12, 15 ns

3.3 V V

Description

Address input

Data input/output

Chip enable input

Write enable input

Output enable input

+3.3 V power supply

Ground

No connect

Description

The GS78116 is a high speed CMOS static RAM organized as

524,288-words by 16-bits. Static design eliminates the need for

external clocks or timing strobes. The GS78116 operates on a

single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-

compatible. The GS78116 is available in 14 mm x 22 mm

BGA package.

Block Diagram

Address

Input

Buffer

Row

Decoder

Memory Array

Column

Decoder

Control

I/O Buffer

Rev: 1.02 9/2001

For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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	GS78116B-12I	GS78116B	GS78116B-12	GS78116B-10	GS78116B-15	GS78116B-15I
描述	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM	512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	-	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	-	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119	-	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B	-	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns	-	12 ns	10 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	-	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	-	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	8388608 bi	-	8388608 bi	8388608 bi	8388608 bi	8388608 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	-	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	-	3	3	3	3
功能数量	1	-	1	1	1	1
端子数量	119	-	119	119	119	119
字数	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	-	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	512KX16	-	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	-	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	-	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm
最大待机电流	0.08 A	-	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.08 A
最小待机电流	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.24 mA	-	0.22 mA	0.225 mA	0.18 mA	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	-	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

GS78116B-12I

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