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ZTX457STOA

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
标准
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ZTX457STOA在线购买

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ZTX457STOA概述

Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

ZTX457STOA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码TO-92
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz

ZTX457STOA相似产品对比

ZTX457STOA
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes Incorporated
零件包装代码 TO-92
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 75 MHz
工业物联网(IIoT)设计资源中心
[size=5]点击进入>>[url=http://bsch.serving-sys.com/BurstingPipe/adServer.bs?cn=brd&Page=&PluID=56&Pos=7592159931431728&EyeblasterID=28097776&clk=0&sct=1&dg=6462687&di=0&pc=&sessionid=721327755934826371&us...
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