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FDU6612A_Q: 产品描述MOSFET 30V N-Ch PowerTrench; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小120KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	N
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	30 A
Rds On - Drain-Source Resistance	20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	2.8 W
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
高度 Height	16.3 mm
长度 Length	10.67 mm
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	MOSFET
宽度 Width	4.7 mm
Forward Transconductance - Min	28 S
Fall Time	4 ns
Rise Time	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1800
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns
单位重量 Unit Weight	0.139332 oz

	FDU6612A_Q	FDU6612A
描述	MOSFET 30V N-Ch PowerTrench	MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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