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GS8162Z36B-225I

产品描述18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小826KB,共38页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8162Z36B-225I概述

18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM

GS8162Z36B-225I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA119,7X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)225 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.99 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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