TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
EasyBRIDGEModulmitCoolMOSundPressFIT/NTC
EasyBRIDGEmodulewithCoolMOSandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
V
CES
= 650V
I
C nom
= 75A / I
CRM
= 150A
TypischeAnwendungen
• SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• PressFITVerbindungstechnik
TypicalApplications
• SolarApplications
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• PressFITContactTechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2014-10-15
revision:2.0
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:MB
approvedby:AKDA
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
T
vj
= 25°C
V
CES
I
CN
650
75
37,5
75
150
250
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,027
0,027
0,027
0,016
0,017
0,018
0,23
0,27
0,28
0,01
0,02
0,02
1,10
1,45
1,50
0,65
1,05
1,15
430
0,55
4,90
typ.
1,35
1,40
1,40
5,80
0,80
0,0
4,70
0,14
1,0
100
max.
1,55
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,60 K/W
V
A
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 37,5 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 37,5 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 37,5 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1,20 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
6,50
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 20 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 37,5 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 20 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 400 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
5 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
preparedby:MB
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-10-15
revision:2.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
R
thCH
T
vj op
-40
0,75
150
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FN
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
50
37,5
100
370
330
typ.
1,45
1,35
1,30
49,0
59,0
63,0
1,90
3,60
4,00
0,50
1,00
1,20
1,00
1,25
-40
150
max.
1,70
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
1,10 K/W
K/W
°C
V
A
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 37,5 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 37,5 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 37,5 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 37,5 A, - di
F
/dt = 1900 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 37,5 A, - di
F
/dt = 1900 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 37,5 A, - di
F
/dt = 1900 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MB
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-10-15
revision:2.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Bypass-Diode/Bypass-Diode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSM
I
FSM
I²t
min.
V
F
I
R
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
800
50
75
800
640
3200
2050
typ.
0,90
0,20
0,45
0,45
150
max.
V
mA
0,55 K/W
K/W
°C
V
A
A
A
A
A²s
A²s
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
T
C
= 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
= 80°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Sperrstrom
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
T
vj
= 150°C, I
F
= 50 A
T
vj
= 150°C, V
R
= 800 V
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
650
24
48
72,0
typ.
1,50
1,65
12,5
12,5
0,30
0,30
0,03
0,03
0,90
0,95
-40
125
max.
1,85
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
1,00 K/W
K/W
°C
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 24 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 24 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 24 A, - di
F
/dt = 1500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 400 V
I
F
= 24 A, - di
F
/dt = 1500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 400 V
I
F
= 24 A, - di
F
/dt = 1500 A/µs (T
vj
=125°C)
V
R
= 400 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MB
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-10-15
revision:2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F4-75R07W2H3_B51
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Sperrspannung
Drain-sourcebreakdownvoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch
Tjmax
Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Source-Spitzenspannung
Gate-sourcepeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
V
DSS
650
30
50
100
520
+/-20
min.
R
DS on
V
GS(th)
Q
G
R
Gint
C
iss
C
oss
C
rss
I
DSS
I
GSS
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
20,0
17,5
16,0
15,0
15,5
16,0
210
220
220
7,50
9,00
9,00
0,32
0,36
0,37
0,08
0,09
0,095
0,35
0,40
-40
min.
I
S
= 50 A, V
GS
= 0 V
I
S
= 50 A, V
GS
= 0 V
I
S
= 50 A, V
GS
= 0 V
dateofpublication:2014-10-15
revision:2.0
5
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
SD
typ.
0,85
0,70
150
max.
1,30
V
2,50
typ.
38,0
3,00
0,33
0,7
8,00
7,50
0,80
2,00
100
max.
42,0
3,50
mΩ
V
µC
Ω
nF
nF
nF
µA
nA
ns
V
A
A
I
D nom
I
D
I
D puls
T
C
= 25°C
P
tot
V
GSS
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
I
D
= 30 A, V
GS
= 10 V, T
vj
= 25°C
I
D
= 3,30 mA, V
DS
= V
GS
, T
vj
= 25°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 480 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 7,50
Ω
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 7,50
Ω
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 7,50
Ω
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 7,50
Ω
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V, Lσ = 25 nH
V
GS
= 10 V, di/dt = 1600 A/µs (T
vj
= 150)
R
G
= 7,50
Ω
I
D
= 30 A, V
DS
= 400 V, Lσ = 25 nH
V
GS
= 10 V, du/dt = 19500 V/µs (T
vj
= 150)
R
G
= 7,50
Ω
t
r
ns
t
d off
ns
t
f
ns
E
on
mJ
E
off
R
thJC
R
thCH
T
vj op
mJ
0,40 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
pro MOS-FET / per MOS-FET
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
= 1 W/(m*K) /λ
grease
= 1 W/(m*K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Revers-Diode/reverse-diode
Durchlassspannung
Forwardvoltage
preparedby:MB
approvedby:AKDA
编程基础
京公网安备 11010802033920号
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