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SI2308DS-T1-GE3

产品描述MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI2308DS-T1-GE3在线购买

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SI2308DS-T1-GE3概述

MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V

SI2308DS-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SI2308DS-T1-GE3相似产品对比

SI2308DS-T1-GE3 SI2308DS-T1-E3
描述 MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V MOSFET 60V 2.0A 1.25
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2 A 2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.25 W 1.25 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1
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