DRAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | TSOP2, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
长度 | 22.22 mm |
内存密度 | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
AS4C4M16D1A-5TCN | AS4C4M16D1A-5TCNTR | AS4C4M16D1A-5TINTR | AS4C4M16D1A-5TIN | |
---|---|---|---|---|
描述 | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
Product Attribute | - | Attribute Value | Attribute Value | Attribute Value |
制造商 Manufacturer |
- | Alliance Memory | Alliance Memory | Alliance Memory |
产品种类 Product Category |
- | DRAM | DRAM | DRAM |
RoHS | - | Details | Details | Details |
类型 Type |
- | SDRAM - DDR1 | SDRAM - DDR1 | SDRAM - DDR1 |
Data Bus Width | - | 16 bit | 16 bit | 16 bit |
Organization | - | 4 M x 16 | 4 M x 16 | 4 M x 16 |
封装 / 箱体 Package / Case |
- | TSOP-66 | TSOP-66 | TSOP-66 |
Memory Size | - | 64 Mbit | 64 Mbit | 64 Mbit |
Maximum Clock Frequency | - | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
电源电压-最大 Supply Voltage - Max |
- | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
电源电压-最小 Supply Voltage - Min |
- | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature |
- | 0 C | - 40 C | - 40 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature |
- | + 70 C | + 85 C | + 85 C |
系列 Packaging |
- | Reel | Reel | Tray |
安装风格 Mounting Style |
- | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
Moisture Sensitive | - | Yes | Yes | Yes |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity |
- | 1000 | 1000 | 108 |
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