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MJD117T4

产品描述Darlington Transistors PNP Power Darlington
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小362KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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MJD117T4概述

Darlington Transistors PNP Power Darlington

MJD117T4规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值20 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1

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MJD112
MJD117
Complementary power Darlington transistors
Features
.
Good h
FE
linearity
High f
T
frequency
Monolithic Darlington configuration with
integrated antiparallel collector-emitter diode
1
TAB
3
Application
Linear and switching industrial equipment
TO-252
(DPAK)
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration.
Figure 1.
Internal schematic diagram
R
1
typ. = 15 kΩ
R
2
typ. = 100
Ω
Table 1.
Device summary
Marking
MJD112
MJD117
Polarity
NPN
PNP
Package
DPAK
DPAK
Packaging
Tape and reel
Tape and reel
Order codes
MJD112T4
MJD117T4
January 2010
Doc ID 3540 Rev 3
1/10
www.st.com
10

MJD117T4相似产品对比

MJD117T4 MJD112T4
描述 Darlington Transistors PNP Power Darlington Darlington Transistors NPN Power Darlington
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-252 TO-252
包装说明 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 200 200
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 20 W 20 W
最大功率耗散 (Abs) 50 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 3 V 3 V
Base Number Matches 1 1

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