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CBCX68 TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT 25V 2A NPN
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小352KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CBCX68 TR概述

Bipolar Transistors - BJT 25V 2A NPN

CBCX68 TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-89
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max20 V
Collector- Base Voltage VCBO25 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current1 A
Gain Bandwidth Product fT65 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
高度
Height
1.7 mm
长度
Length
4.7 mm
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
2.7 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min50
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1200 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
单位重量
Unit Weight
0.004603 oz

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CBCX68 SERIES NPN
CBCX69 SERIES PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY SILICON
SMALL SIGNAL TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and
CBCX69 series types are complementary silicon
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount package,
designed for applications requiring high current
capability.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
°C/W
25
20
5.0
1.0
2.0
100
200
1.2
-65 to +150
104
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=25V
ICBO
VCB=25V, TA=150°C
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
VEB=5.0V
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=1.0A, IB=100mA
VCE=10V, IC=5.0mA
VCE=1.0V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=5.0mA
VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68, CBCX69)
VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68-16, CBCX69-16)
VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68-25, CBCX69-25)
VCE=1.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=10mA, f=20MHz
50
85
100
160
60
65
25
20
5.0
TYP
MAX
100
10
10
UNITS
nA
μA
μA
V
V
V
0.5
0.6
1.0
375
250
400
V
V
V
MHz
R11 (23-February 2012)

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