CGH40180PP,CGH40180PP pdf中文资料,CGH40180PP引脚图,CGH40180PP电路-Datasheet-电子工程世界

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CGH40180PP: 产品描述RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小2MB，共13页; 制造商Cree(科瑞); 官网地址http://www.cree.com/; 标准

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CGH40180PP在线购买

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CGH40180PP概述

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

CGH40180PP规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Cree(科瑞)
产品种类 Product Category	RF JFET Transistors
RoHS	Details
Transistor Type	HEMT
技术 Technology	GaN
Gain	19 dB
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	120 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 10 V to 2 V
Id - Continuous Drain Current	24 A
Output Power	220 W
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
安装风格 Mounting Style	Screw
封装 / 箱体 Package / Case	440199
系列 Packaging	Tube
Configuration	Dual
高度 Height	4.34 mm
长度 Length	29 mm
Operating Frequency	1 GHz to 2.5 GHz
产品 Product	GaN HEMT
宽度 Width	5.97 mm
Number of Channels	2 Channel
Development Kit	CGH40180PP-TB
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	96
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 3 V

CGH40180PP相似产品对比

	CGH40180PP	CGH40180PP-TB
描述	RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt	RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Cree(科瑞)	Cree(科瑞)
产品种类 Product Category	RF JFET Transistors	RF Development Tools
RoHS	Details	N
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
系列 Packaging	Tube	Bulk
产品 Product	GaN HEMT	Demonstration Boards
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	96	2

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