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PH2530AL,115

产品描述MOSFET PH2530AL/LFPAK/REEL7//
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共58页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PH2530AL,115概述

MOSFET PH2530AL/LFPAK/REEL7//

PH2530AL,115规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
LFPAK56-5
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage35 V
Id - Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance2.4 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.45 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge27 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
N-Channel TrenchMOS Logic Level FET
Fall Time25 ns
Rise Time62 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1500
Typical Turn-Off Delay Time61 ns
Typical Turn-On Delay Time39 ns

PH2530AL,115相似产品对比

PH2530AL,115 PH1730AL,115 PH1930AL,115 PH9030AL,115
描述 MOSFET PH2530AL/LFPAK/REEL7// MOSFET PH1730AL/LFPAK/REEL7 MOSFET PH1930AL/LFPAK/REEL7// MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 63A 5-Pin(4+Tab)
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
技术
Technology
Si Si Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
LFPAK56-5 LFPAK56-5 LFPAK56-5 LFPAK56-5
Number of Channels 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 35 V 30 V 35 V 35 V
Id - Continuous Drain Current 100 A 100 A 100 A 61 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.4 mOhms 1.7 mOhms 2 mOhms 11 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.45 V 2.45 V 2.45 V 2.45 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V 20 V 20 V
Qg - Gate Charge 27 nC 36.2 nC 30 nC 8.7 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C + 175 C + 175 C + 175 C
Configuration Single Single Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W 109 W 97 W 46 W
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
类型
Type
N-Channel TrenchMOS Logic Level FET N-Channel TrenchMOS Logic Level FET N-Channel TrenchMOS Logic Level FET N-Channel TrenchMOS Logic Level FET
Fall Time 25 ns 34 ns 28 ns 9 ns
Rise Time 62 ns 72 ns 65 ns 28 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1500 1500 1500 1500
Typical Turn-Off Delay Time 61 ns 76 ns 63 ns 19 ns
Typical Turn-On Delay Time 39 ns 46 ns 39 ns 13 ns

 
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