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70V3599S133BCGI

产品描述SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
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文件大小248KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70V3599S133BCGI在线购买

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70V3599S133BCGI概述

SRAM 128Kx36 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM

70V3599S133BCGI规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256
针数256
制造商包装代码BCG256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
其他特性PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度17 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V
128/64K x 36
SYNCHRONOUS
IDT70V3599/89S
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
R/W
R
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B
W
0
L
B
W
1
L
B B B
WWW
2 3 3
L L R
B
W
2
R
B B
WW
1 0
R R
1
0
1 /0
CE
0R
CE
1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d
1c 0c 1b 0b 1a 0a
a b cd
0a 1a 0b 1b
0c 1c 0d 1d
0/1
FT/PIPE
L
0/1
FT/PIPE
R
d cba
128K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35 L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
16L (1)
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
A
16R
(1)
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
5617 tbl 01
TDI
NOTE:
1. A
16
is a NC for IDT70V3589.
JTAG
TDO
TCK
TMS
TRST
OCTOBER 2014
1
DSC 5617/10
©20104 Integrated Device Technology, Inc.
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