TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L50R06W1E3_B11
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
J
V
CES
= 600V
I
C nom
= 50A / I
CRM
= 100A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
•
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
• UPSSystems
ElectricalFeatures
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowV
CEsat
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
•
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2014-03-13
revision:3.1
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CM
approvedby:AKDA
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L50R06W1E3_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
600
50
75
100
175
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,025
0,025
0,025
0,013
0,016
0,017
0,18
0,20
0,21
0,06
0,075
0,085
0,20
0,35
0,40
1,20
1,50
1,60
350
250
0,75
0,70
-40
150
4,9
typ.
1,45
1,60
1,70
5,8
0,50
0,0
3,10
0,095
1,0
400
max.
1,90
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
A
0,85 K/W
K/W
°C
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 0,80 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 8,2
Ω
6,5
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 50 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 30 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4400 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 8,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
8 µs, T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-03-13
revision:3.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L50R06W1E3_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
600
50
100
370
330
typ.
1,55
1,50
1,45
74,0
87,0
91,0
2,30
4,70
5,10
0,70
1,30
1,50
1,00
0,85
-40
150
max.
1,95
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
1,10 K/W
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-03-13
revision:3.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L50R06W1E3_B11
Diode,D5-D6/Diode,D5-D6
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
600
50
100
560
500
typ.
1,50
1,45
1,40
74,0
87,0
91,0
2,30
4,70
5,10
0,70
1,30
1,50
0,80
0,70
-40
150
max.
1,90
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,90 K/W
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
I
F
= 50 A, - di
F
/dt = 3000 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 300 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-03-13
revision:3.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L50R06W1E3_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
Gewicht
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
F
G
-40
20
-
24
2,5
Al
2
O
3
11,5
6,3
10,0
5,0
> 200
typ.
15
2,00
125
50
max.
nH
mΩ
°C
N
g
kV
mm
mm
preparedby:CM
approvedby:AKDA
dateofpublication:2014-03-13
revision:3.1
5
NXP MCU
京公网安备 11010802033920号
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