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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUK754R0-55B
PDF数据手册

BUK754R0-55B

产品描述MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小189KB，共15页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BUK754R0-55B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BUK754R0-55B概述

MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

BUK754R0-55B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）1200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.004 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)774 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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