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BD140

产品描述Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BD140概述

Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP

BD140规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
包装说明PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码77-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值12.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

BD140相似产品对比

BD140 BD136 BD138
描述 Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W PNP Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 含铅 含铅 含铅
包装说明 PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数 3 3 3
制造商包装代码 77-09 77-09 77-09
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE LOW LEAKAGE LOW LEAKAGE
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 45 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
功耗环境最大值 12.5 W 12.5 W 12.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V
厂商名称 - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
JESD-609代码 - e0 e0
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs) - 8 W 8 W
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) - 75 MHz 75 MHz

 
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