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GS832118GE-166V

产品描述2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
产品类别存储    存储   
文件大小734KB,共31页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准
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GS832118GE-166V概述

2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs

GS832118GE-166V规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间7 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度37748736 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.06 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
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